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Artigo de periodico
Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates (2001)
Freire, S L S; Reis, J E T; Cury, Luiz Alberto; Matinaga, F M; Sampaio, J F; Guimarães, Francisco Eduardo Gontijo
Source: Physical Review B. Unidade: IFSC
Assunto: LUMINESCÊNCIA
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ABNT
FREIRE, S L S et al. Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates. Physical Review B, v. 64, p. 195325-1-195325-61, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.195325. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Freire, S. L. S., Reis, J. E. T., Cury, L. A., Matinaga, F. M., Sampaio, J. F., & Guimarães, F. E. G. (2001). Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates. Physical Review B, 64, 195325-1-195325-61. doi:10.1103/physrevb.64.195325
NLM
Freire SLS, Reis JET, Cury LA, Matinaga FM, Sampaio JF, Guimarães FEG. Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates [Internet]. Physical Review B. 2001 ;64 195325-1-195325-61.[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.195325
Vancouver
Freire SLS, Reis JET, Cury LA, Matinaga FM, Sampaio JF, Guimarães FEG. Optical studies of strain effects in quantum wells grown on (311) and (100) GaAs substrates [Internet]. Physical Review B. 2001 ;64 195325-1-195325-61.[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.64.195325
Artigo de periodico
Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations (1991)
Rodrigues, R; Guimaraes, P S S; Sampaio, J F; Nogueira, R A; Oliveira Junior, A T; Dias, I. F. L.; Bezerra, J C; Oliveira, A. G.; Chaves, A S; Scolfaro, L M R
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, R et al. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, v. 78, p. 793-6, 1991Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3. Acesso em: 16 maio 2024.
APA
Rodrigues, R., Guimaraes, P. S. S., Sampaio, J. F., Nogueira, R. A., Oliveira Junior, A. T., Dias, I. F. L., et al. (1991). Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations. Solid State Communications, 78, 793-6. doi:10.1016/0038-1098(91)90622-3
NLM
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3
Vancouver
Rodrigues R, Guimaraes PSS, Sampaio JF, Nogueira RA, Oliveira Junior AT, Dias IFL, Bezerra JC, Oliveira AG, Chaves AS, Scolfaro LMR. Broadening of the si doping layer in planar-doped gaas in the limit of high concentrations [Internet]. Solid State Communications. 1991 ;78 793-6.[citado 2024 maio 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90622-3

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